台積電在歐洲開放創新平台（OIP）生態系統論壇宣布，如期2026年底量產A16（1.6納米級）製程首批晶片。
外媒Tom′s Hardware報道，新製程采台積電獨家「超級電軌」（Super Power Rail，SPR）晶片背面供電（BSPDN），實現增強的電源傳輸及更高的電晶體密度。不過BSPDN解決某些挑戰的同時，也增加其他挑戰，因此需要更多設計工作。
台積電A16製程采GAAFET架構，與N2系列製程類似，並含背面電源軌道，以加強電源傳輸並提高電晶體密度。相比N2P製程，A16預期相同電壓與複雜度下可提升8%-10%性能；相同頻率與電晶體數量下可降低15%-20%功耗；晶片密度提升1.07-1.10倍。
台積電設計解決方案探索與技術基準部門主管Ken Wang表示，N2P到A16的邏輯布局轉換相當直接，因為單元結構和大部分的布局模式大都相同，除了保持相同的正面結構外，A16優點在於繼承N2設備寬度調製的NanoFlex功能，以實現最大的驅動強度。
台積電「超級電軌」技術通過專門的接觸點，將背面電源傳輸網路直接連接至每個電晶體的源極與汲極，將導線長度與電阻降至最低，達到最高性能與電源效率。從生產角度來看，這是實例是最複雜的BSPDN設計之一，其複雜度超越英特爾的Power Via技術。
這代表晶片設計人員必須重新設計電源傳輸網路，以新方式布線，從而應用新布局布線策略，另外須進行散熱緩解，因晶片熱點將位於一組導線下方，增加散熱難度。
Ken Wang指出，新方法涉及新熱感應布線軟體、新時脈樹構造、不同IR-Drop分析、不同電壓分布（dissimilar power domains），以及不同熱分析簽核等。這都需要新版EDA工具和模擬軟體。
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