今年初就有報道稱，在人工智慧（AI）熱潮推動的儲存器需求激增的大背景下，三星和SK海力士不斷擴大投資，這一舉動不只是限於韓國國內，也包括中國大陸地區。其中SK海力士在2026年下半年重啟了大連二廠的擴建工程，未來將能生產238層NAND快閃記憶體，月產能目標為3萬至5萬片晶圓。另外SK海力士還投資位於無錫的DRAM工廠，計劃將工藝從1znm（第三代10nm級別）升級至1αnm（第四代10nm級別）。
據TrendForce報道，過去由於美國的限制措施，加上儲存行情長期處於低迷狀態，SK海力士選擇暫停了相關擴建工程。不過隨著工程重啟，SK海力士依然需要面對安裝新設備的問題，特別是來自美國供應商的設備。雖然美國政府已經批准了SK海力士2026年的申請，但是2027年的申請還沒有通過。
與此同時，最近美國政府催促SK海力士加快在美國的投資建廠計劃。有消息人士透露，SK海力士希望美國政府儘快批准向中國大陸地區出口美國供應商的設備，作為其在美國投資建廠的其中一個條件。
另外SK海力士的全資子公司Solidigm考慮最快明年在美國進行IPO，為未來可能赴美建廠籌集所需的資金。如果能擴大大連工廠的產能規模，將有助於提高Solidigm的估值，並確保美國新工廠投產前的產能，穩定市場供應。
