隨著行業推進到10nm以下級別的先進制程節點，DRAM擴展變得越來越複雜。除了運用到更為先進的EUV光刻機外，三星和SK海力士等DRAM製造商還將逐步引入了新結構、新技術、以及新材料，其中包括了4F²單元結構
。相比於6F²單元結構，新結構能將每個儲存單元置於 2F×2F 的面積內，運用更先進的擴展方法。按照三星的說法，可在相同晶片尺寸內將單元密度提升了30%至50%。
據TrendForce報道，今年長鑫儲存（CXMT）可以說是風光無限，不但成功上市，成為A股市值最高公司，而且先後宣布量產第五代DRAM技術平台（簡稱「G5平台」）和LPDDR6內存，一下子站到了行業的前沿。近日在上海舉辦的第四屆集成晶片和芯粒大會上，長鑫儲存對外公布了4F²單元結構研發取得關鍵進展，預計於今年末推出融合4F²單元結構與混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM產品。
長鑫儲存的4F²單元結構的核心創新屬於自研的VSG垂直包圍溝道電晶體，能夠強化柵控能力，改善漏電與短溝道效應，同時電晶體垂直布局可實現晶片面積微縮。為了適配新的結構，長鑫儲存還針對字線金屬化、位線成型、結激活等關鍵工藝進行攻關，並結合混合鍵合技術，將儲存陣列與外圍邏輯電路分開在兩片晶圓製造，再通過鍵合工藝整合，突破傳統單片DRAM製造的工藝限制。
長鑫儲存表示，已經擁有行業領先的專利組合。公開資料顯示，長鑫儲存自成立起，便開始了4F²單元結構的開發工作，相關公開專利已超過300件。長鑫儲存激進的4F² DRAM時間表已經讓競爭對手警覺，要知道三星還沒有相關量產計劃，至少2028年之前該技術不會進入市場。
