韓國內存大廠SK海力士19日宣布，公司就下一代HBM產品生產和加強融合HBM與邏輯層的先進封裝技術，將與台積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與台積電合作開發預計在2026年投產的HBM4，即第六代HBM產品。
SK海力士表示，公司作為AI應用的內存領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業台積電攜手合作，將會繼續引領HBM技術創新。通過以構建IC設計廠、晶片代工廠、內存廠三方技術合作的方式，公司將實現內存產品性能的新突破。
兩家公司將首先致力於針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆棧在基礎裸片上，並通過TSV技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，發揮對HBM進行控制的作用。
SK海力士表示，以往的HBM產品，包括HBM3E（第五代HBM產品）都是採用公司自家製程技術來製造的基礎裸片。但從HBM4產品開始計劃採用台積電的先進邏輯（Logic）製程技術，藉由基礎裸片採用超細微製程來增加更多的功能。由此，公司計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。
另外，SK海力士與台積電的合作，雙方將協助優化SK海力士的HBM產品和台積電的CoWoS技術融合，共同應對HBM相關客戶的要求。
(首圖來源：SK海力士)
