晶片行業協會SEMI近日致函白宮，呼籲川普政府避免對儲存器市場進行大規模干預。
據彭博社報道，該協會已將其對儲存器市場的關切寫成信函，分别致送財政部長史考特·貝森特、國防部長彼特·赫格塞斯、商務部長霍華德·盧特尼克及國務卿馬可·盧比奧。SEMI代表著全球大多數主要半導體設備與材料企業，以及眾多晶片製造商。
過去一年間，受AI數據中心建設需求激增影響，儲存器價格大幅上漲。這一漲價趨勢不僅波及伺服器市場，也蔓延至其他細分領域。去年12月，標普全球預測，至2027年底，車用DRAM價格可能上漲逾100%。與此同時，蘋果公司也已上調多款設備的售價。
SEMI在信中呼籲白宮避免採取"扭曲定價或產能決策"的儲存器干預措施，認為此類舉措將損害市場健康發展。SEMI建議官員採取其他更為精準的措施來應對儲存器供應短缺問題。
該協會還呼籲白宮推動稅收減免或抵扣政策，以降低消費電子產品價格，同時支持部分企業採用長期採購合同方式來保障儲存晶片供應。SEMI的成員涵蓋全球三大DRAM供應商——美光、SK海力士和三星電子。
數據中心建設方面的需求，主要集中於一種名為高頻寬儲存器（HBM）的特殊DRAM。HBM與標準儲存器採用相同的電路架構，但在其他方面存在顯著差異——普通DRAM模組為單一晶片，而HBM設備則由多達十餘枚DRAM晶片垂直堆疊而成，並置於一塊名為"邏輯晶片"的基礎層上，以優化數據傳輸效率。
與標準DRAM相比，HBM模組在處理器之間的數據傳輸速度更快，非常適合AI應用場景。這類應用產生的儲存器訪問流量遠超其他計算任務。通常情況下，HBM模組會緊鄰顯卡的邏輯電路部署，以進一步提升數據傳輸速度。
SEMI在信中指出，晶片行業預計未來每年將以19%的速度擴大儲存器產能。儘管如此，在可預見的未來，市場需求仍將持續超過供給。
美光計劃投資2000億美元，在美國境內新建最多六座晶圓廠，並對弗吉尼亞州一座現有儲存器工廠進行升級。該工廠近期已開始採用美光最新製造工藝生產DRAM晶片，該工藝運用多重圖案化技術在矽片上蝕刻電路，藉助複雜的雷射脈衝序列形成電晶體圖案。
美光不僅在擴大儲存晶片產能，也在加速布局HBM封裝能力。這項技術用於將多枚DRAM晶片整合成單一HBM模組。去年，美光在新加坡開建一座投資額達70億美元的封裝工廠，預計於2027年底前投入量產。
SK海力士和三星則計劃在未來五年內將各自的儲存器產能翻倍。這一擴張計劃是韓國政府本周啟動的5840億美元晶片製造計劃的組成部分，該項目將推動SK海力士和三星合計新建四座晶圓廠。
Q&A
Q1：SEMI為什麼反對白宮干預儲存器市場？
A：SEMI認為，政府若對儲存器市場採取扭曲定價或產能決策的干預措施，將損害整個市場的健康運行。該協會建議改為推行稅收減免、支持長期採購合同等更為精準的手段，以緩解儲存器供應短缺問題，而非通過行政手段直接介入市場定價機制。
Q2：HBM高頻寬儲存器和普通DRAM有什麼區別？
A：HBM與普通DRAM採用相同的電路架構，但結構上差異顯著。普通DRAM是單一晶片，而HBM由多達十餘枚DRAM晶片垂直堆疊，並搭載邏輯晶片優化數據流向，數據傳輸速度遠超標準DRAM，特別適合AI計算場景，因為AI應用產生的儲存器訪問流量遠超普通工作負載。
Q3：美光、SK海力士和三星各自有哪些儲存器產能擴張計劃？
A：美光計劃投資2000億美元在美國新建最多六座晶圓廠，並在新加坡投資70億美元建設HBM封裝工廠，預計2027年底前量產。SK海力士和三星則計劃在未來五年內各自將產能翻倍，作為韓國政府5840億美元晶片製造計劃的一部分，兩家企業將合計新建四座晶圓廠。
