2023年年底，曝光機大廠ASML開始向英特爾交貨其首個高數值孔徑High-NA極紫外線 (EUV) 曝光機。上周末，英特爾也發布了一段網路影片，介紹工具於俄勒岡州希爾斯伯勒 (Hillsboro) 附近晶片廠安裝狀況。英特爾規劃，設備主要研究和開發用。
ASML Twinscan EXE:5000 High-NA EUV曝光機體積非常龐大，運送共需要250個棧板，總重量約33萬磅。波音747貨機將設備從荷蘭運至俄勒岡州波特蘭，然後一輛卡車負責關鍵零件。
設備已入機完畢，但需250名ASML和英特爾工程師約六個月完全安裝。即使ASML Twinscan EXE:5000 High-NA EUV完全組裝，ASML和英特爾工程師仍需校準機器，需耗時長周甚至數月。
ASML High-NA EUV曝光機以8納米解析度圖形化，增強標準孔徑EUV曝光性能，單次曝光解析度僅限13納米，使電晶體尺寸小約1.7倍，電晶體密度增加近三倍。8納米關鍵尺寸對3納米以下製程至關重要，半導體界希望2025-2026年完成這目標。
英特爾將使用Twinscan EXE:5000學習如何順暢運用High-NA EUV，以Intel 18A製程測試高數值孔徑曝光機生產，不過不是量產，Intel 14A才會量產。
ASML之前說新High-NA EUV曝光機價格是標準EUV曝光機兩倍以上（3.5億歐元），最後價格取決於實際配置。英特爾首席執行官Pat Gelsinger表示機器成本為4億美元左右。
標準孔徑EUV系統售價約1.83億美元（1.7億歐元），特定型號和配置價格也有不同。英特爾是第一家購買High-NA EUV曝光機的廠商，但ASML透露英特爾、三星、SK海力士和台積電等都有下訂High-NA EUV曝光機，很快會成主流設備。
(首圖來源：ASML)
