這一輪記憶體快閃記憶體大漲價主要源於AI需求太大導致的供應失衡，一年來記憶體條價格漲了差不多500%，部分產品甚至達到了接近10倍的漲幅。
按照這樣的漲價情況，大家原本以為記憶體行業的產能是非常緊張的，然而來自半導體行業的匿名人士指出了其中的貓膩，稱記憶體的緊缺實際上是被誇大了的。
根據他的說法，2026年當前的記憶體缺口在4-5%左右，原先2025年的8%至9%短缺預測被證明是誇大的，因為三星和海力士等主要製造商成功從1b工藝技術過渡到1c工藝技術，而這一節點升級提升了位容量輸出，並填補了大部分預期的缺口。
2027年的缺口隨著美光、三星全面啟動新的生產設施，缺口預計會縮小到3%。
到了2028年，上半年可能還會面臨2-3%的缺口，但下半年會實現最終的供需平衡，價格也會逐步穩定。
需要說明的是，記憶體市場到底產能缺口有多大，估計誰也說不清楚，AI需求大，HBM消耗的產能也多，這都是事實，然而如果缺口真的大到缺一半那種程度，那當前的AI投資早就應該熄火了才對。
至於缺口是不是這個員工爆料的只有4-5%，目前也不能完全確定他說的就是對的，但彭博這樣的知名金融機構前幾天給出的說法是今年Q2是最緊缺的時候，但也就是8%的缺口，明年記憶體需求達到基本平衡，缺口在2%以內，2028年開始也是過剩。
因此本輪記憶體漲價，與其說是AI需求爆發導致產能跟不上，倒不如說是很大程度上是各種勢力博弈上人為製造出來的緊缺災難，最大的受益者是誰不用說了，而且三大巨頭還渲染記憶體缺貨要持續到2030年之後，要持續下一個十年周期。
"Even if the memory shortage persists throughout 2027, research firms, sell-side analysts, and other prominent industry observers broadly agree that the supply-demand imbalance will begin to ease in 2028." Yes, that is correct. I actually have an interview transcript (I cannot disclose due to sensitivity) where the senior employee of one semiconductor company in Taiwan states: "The supply and demand for DRAM will reach a balance in H2 2028 to stabilise the price." He explains it along the lines of: 2026: The current demand gap is hovering around 4% to 5%. Original 2025 projections of an 8% to 9% shortage proved exaggerated because major manufacturers like Samsung and SK Hynix successfully transitioned from 1b to 1c process technologies. This node upgrade boosted bit output and filled much of the anticipated shortfall. 2027: The supply gap is projected to shrink to under 3% by the second half of the year as Micron and Samsung ramp up entirely new production facilities. 2028: The market will face a minor 2% to 3% deficit in the first half of the year (H1) before finally achieving a complete supply-demand equilibrium in the second half (H2), driven by the massive volume of new capacity deployed between late 2027 and 2028.
