全球最大的內存廠商三星宣布，已開始量1Tb QLC的第九代V-NAND內存，這是全球第一家使用這項新技術開始量產內存晶片的公司。
根據韓國媒體報道指出，繼2024年4月製造出全球首款TLC的第九代V-NAND內存之後，三星也已開始量產QLC第九代V-NAND內存。而憑藉這一領先業界動作，三星鞏固了其在高容量和高性能內存晶片領域的領導地位。另外，為了完成這一目標，三星推出了多項新技術和新製程，包括信道孔蝕刻、設計模具、低功耗設計，以及預測程序等。
其中，在信道孔蝕刻的部分，該技術用於堆棧層，然後創建一個信道孔，電子可以藉由該孔移動。這種雙層堆棧結構使內存有了更高的存儲密度。與上一代QLC技術相比，其位元密度提高了86%。而在設計模具方面，控制操作單元，也就是控制電晶體打開和關閉狀態布線的間距，將它們層壓以優化和統一單元，藉以通過將數據保留率提高20%來提高可靠性。
至於，預測程序則是預測單元狀態的變化，並最大限度的減少不必要的單元操作。利用這項技術，三星分別將讀取和寫入數據時的功耗分別降低30%和50%。而有了以上的幾項新技術，其所生產出的QLC第九代V-NAND內存，三星計劃未來將使用這些QLC V-NAND內存來製造消費性和伺服器應用的SSD，以及用於移動設備的UFS存儲。
三星電子執行副總裁兼閃存產品與技術負責人SungHoi Hur表示，在TLC版本推出僅四個月後，QLC第9代V-NAND隨即成功量產，這使三星能夠提供全系列先進的SSD解決方案，滿足AI時代的需求。隨著企業級SSD市場快速增長，對AI應用的需求不斷加強，三星也將繼續藉由QLC和TLC的第9代V-NAND內存來鞏固三星在該領域的領先地位。
(首圖來源：三星官網)
