上個月，英特爾公布了2026年第二季度財報，收入同比大幅增長25%，繼續有高於預期的表現，創下了逾十五年來最強勁的營收增長。除了亮眼的財務數據，英特爾另外一大亮點是Intel 14A
工藝的進展，首席執行官（CEO）陳立武（Lip-Bu Tan）表示，新的製程工藝在缺陷密度和電晶體性能兩項關鍵指標上已超越Intel 18A同期表現。
據TomsHardware報道，近日英特爾首席財務官（CFO）David Zinsner在德意志銀行2026年技術大會上帶來了更多有關Intel 14A工藝的消息，表示從缺陷密度來看，Intel 14A擁有自22nm以來最佳的「缺陷密度曲線」，而22nm可以說是英特爾至今為止最好的製程產品之一。
22nm是英特爾首個採用FinFET電晶體的製造工藝，是當時世界上最先進的半導體製造技術，於2011年試產，並在2012年大規模量產，首發產品是Ivy Bridge。其他同行業競爭者要等到2014年至2015年才引入，而且是更晚的14/16nm製程節點。
Intel 14A採用了名為「RibbonFET 2」的第二代GAA電晶體技術，背面供電技術也進行了升級，採用了名為「PowerDirect」的設計，同時還應用了High-NA EUV光刻技術。與Intel 18A相比，Intel 14A在相同功率下，性能提升15%至20%，或者相同性能下，功耗降低25%至35%，另外電晶體密度也將提高最多30%。
按照上個月陳立武的說法，Intel 14A工藝將全面提速，提前至2027年下半年開啟風險試產，2028年實現大規模量產，早於之前規劃的「2028年風險試產、2029年量產」。陳立武認為，Intel 14A將在性能、功耗、密度、成本和進度等關鍵方面成為極具競爭力的製程產品。
