韓媒《HankYung》報道，三星電子本月將開始量產第九代V-NAND（即3D NAND），將擁有290個主動層（active layer）。據報道，三星還計劃明年下半年推出430層NAND晶片，即第10代V-NAND。
從目前市場消息來看，三星可能決定減少V-NAND內存的主動層數，來提高產量。三星第9代V-NAND擁有290個主動層，特點是採用雙次堆棧（double-stack）技術，首先構建具邏輯的CMOS層，在其頂部創建145層3D NAND內存數組，然後其上方再建另個145層3D NAND閃存。
雖然製程技術複雜，但有望提高數百層3D NAND內存產品產量，因為製造兩個145層3D NAND比製造一個290層3D NAND數組更容易。
過去有報道稱，三星今年將推出300層以上3D NAND內存，因此跟這項消息互相矛盾，建議更謹慎看待這則消息。與此同時，SK海力士準備明年初生產321層NAND，而中國長江存儲計劃今年下半年生產300層的產品。
（首圖來源：三星）
