上個月有報道稱，長鑫儲存（CXMT）已啟動HBM3E
風險試產。過去幾年裡，HBM對於AI晶片有著非常重要的作用。英偉達基於Hopper架構GPU的H200，是首款採用8層堆疊HBM3E的產品，隨後基於Blackwell系列架構GPU的B200/GB200和B300/GB300同樣採用了HBM3E，直到今年最新的Rubin架構GPU，才轉向HBM4。
據TECHPOWERUP報道，長鑫儲存已向國內多個客戶交付HBM3E樣品，預計未來兩個月內開始量產HBM3E。長鑫儲存早在2024年就開始了HBM3E的開發工作，現在終於走到一個里程碑時刻，取得了階段性勝利。
目前長鑫儲存主要面臨的困難仍然是良品率問題，傳聞現在HBM3E的良品率僅為20%至30%，遠低於SK海力士的70%水平。由於良品率差距較大，長鑫儲存現階段HBM3E的生產成本肯定是高於其他競爭對手。儘管如此，隨著國內AI晶片需要更多HBM產品，這部分市場存在短缺問題，長鑫儲存擴大產能幾乎是必然的選擇。
另外性能表現也是另外一個挑戰，早期測試顯示長鑫儲存的HBM3E與SK海力士、三星和美光存在技術差距。
一直以來，長鑫儲存很少對外披露有關HBM產品的開發情況。在上個月的投資者簡報會議上，長鑫儲存管理層也沒有直接回應相關的問題，僅表示按照現有的路線圖開發產品及提升工藝技術。
