韓國內存大廠SK海力士今日宣布，量產全球最高321層堆棧1Tb TLC 4D NAND Flash閃存。
SK海力士表示，2023年6月量產上代238層堆棧NAND Flash後，現又先推出超過300層堆棧的NAND Flash，突破界線。SK海力士計劃2025上半年起，供貨321層堆棧產品。
產品開發采高生產效率3-Plug製程，克服堆棧局限。分三次通孔製程，優化後續工程，三個通孔以電氣連接。並開發低變形材料，引進通孔自動排列（alignment）矯正。
團隊也將上代238層堆棧NAND Flash平台用於321層堆棧產品，最大限度減少製程變化。與上代相較，生產效率提升59%。321層堆棧產品與上代相較，數據傳輸速度和讀取性能分別提高12%、13%，數據讀取能效也提高10%以上。SK海力士接下來將以321層堆棧NAND Flash應對AI低功耗、高性能市場，逐漸擴大應用範圍。
NAND Flash開發副社長崔正達表示，先投入300層堆棧以上NAND Flash量產，攻占AI數據中心固態硬盤、邊緣AI等AI內存市場有利地位。將來不僅HBM為代表的DRAM領域，NAND Flash領域也有超高性能產品組合，躍升為全方位AI內存商。
(首圖來源：SK海力士)
