前一段時間，台積電（TSMC）舉辦了2024年北美技術論壇，首次公布了A16製程工藝，將結合納米片電晶體和背面供電解決方案，以提升邏輯密度和能效，預計2026年量產。隨後台積電確認，A16製程工藝並不需要下一代High-NA EUV光刻系統的參與。
據Wccftech報道，最近台積電首席執行官魏哲家訪問了ASML的總部，同時也拜訪了雷射供應商Trumpf，與對方的高層會面。從相關渠道得到的消息來看，台積電似乎改變了之前對High-NA EUV光刻技術的一些看法，或許會加快引入新技術和新設備的步伐。
由於使用High-NA EUV光刻系統將大大增加晶圓廠的成本，根據配置的不同，設備的價格約在3.85億美元起步。晶片製造商普遍更傾向於重複利用現有的工具，台積電也同樣如此，儘可能地避免使用High-NA EUV光刻系統，除非原有的EUV光刻系統無法繼續改進生產能力。與此同時，台積電還在相關光刻材料上下功夫，以提高光刻工藝和良品率。總的來說，台積電在High-NA EUV光刻技術上並不是太積極，更多地想挖掘現有EUV光刻設備的潛力。
與台積電不同，英特爾很早便下單訂購High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。英特爾已完成了業界首台High-NA EUV光刻機組裝工作，正在進行校準步驟。傳聞英特爾已經獲得了明年上半年之前生產的大部分High-NA EUV光刻機，而現階段ASML每年僅能生產5到6台High-NA EUV光刻機，ASML目前收到的訂單數量在10至20台之間。
High-NA EUV提供了0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。業界普遍認為，半導體工藝進入2nm時代後，會逐步採用High-NA EUV技術，以替換現有的EUV工藝。
