HBM4兩大重點：定製化HBM、Base Die改Logic製程SK海力士、三星內存堆棧技術路線
隨著SEMICON Taiwan圓滿落幕，本次最大亮點之一莫過於邀請內存大廠SK海力士和三星高層來台開講，值得注意的是，HBM4將實現內存一大躍進，兩家公司也強調對台積電的合作關係，意味先進封裝、與台積合作成HBM戰場關鍵。
當機器學習和人工智慧推動數據處理能力和運算能力增長，作為數據存儲的高帶寬內存（HBM）的帶寬需求也急速增加，為增加能效、性能及運算能力，HBM4的基礎裸晶（Base Die）從內存製程改成邏輯（Logic）製程，因此改由晶片廠、非內存廠製造。
SK海力士將採用台積電的邏輯製程生產HBM4的base Die，計劃2025年將推出12層HBM4產品；與此同時，三星和台積電也傳出將共同開發HBM4，預期趕在2025年下半年製造。台積電生態系與聯盟管理主管Dan Kochpatcharin在Semicon Taiwan 2024論壇上證實，兩家公司正共同開發無緩衝（bufferless） HBM4晶片，表示隨著內存製程日趨複雜，與合作夥伴合作變得比以往更重要。
此外，在這次SEMICON Taiwan上，三星、SK海力士和美光都強調「定製化HBM」的重要性。SK海力士資深副總裁暨封裝（PKG）開發副社長李康旭（Kangwook Lee）解釋，標準HBM和定製化HBM核心晶片相同，是Base Die（基礎晶片）不同，定製化將再加入客戶IP，因此晶片效率也可能更高。
韓媒預期，通過與台積電合作，三星盼提供NVIDIA和Google等客戶所要求的定製化晶片和服務。知情人士透露，雖然三星有能力提供HBM4一條龍服務，包括內存生產、代工和先進封裝，但公司希望利用台積電技術爭取更多客戶。此外，有些客戶偏好台積電生產的邏輯晶片，因此考慮使用台積電技術。
三星內存業務部負責人Jung-Bae Lee指出，三星在HBM4以前是採用自家內存負責製造，但到目前HBM4的Base Die已交由晶片代工廠，三星負責Core Die，內存製造商和晶片代工企業與客戶的合作關係越來越緊密。
除了定製化、Base Die與晶片廠合作動態值得關注外，內存大廠還面臨堆棧限制，目前16層以下大都依各廠技術，但到20層因技術限制，SK海力士和三星都提出使用Hybrid Bonding（混合鍵合）技術。
其中，SK海力士的MR-MUF技術，是採用具高熱導特性的Gap-Fill材料和高密度金屬凸塊。SK海力士表示，明年推出的12層HBM4將採用Advanced MR-MUF，到16層會嘗試看Advanced MR-MUF和Hybrid Bonding的可能性，前者已經確認可行性。
三星也指出，目前採用的熱壓鍵合（TCB）技術到了16層將面臨技術瓶頸，因此到16層將同步嘗試TCB和Hybrid Bonding技術，到20層以上就走Hybrid Bonding路線。該公司也於4月使用子公司SEMES的混合鍵合設備成功製作16層HBM樣品。
研調機構TrendForce數據，SK海力士目前市場占有率達53%，而三星則以35%位居第二，目前兩家公司的技術角力仍將持續，預期2025年推出的HBM4將是能否掌握主導權的關鍵一役。
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