2021年7月的「英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發布會」上，英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）展示了一系列底層技術創新。按照英特爾的計劃，至2025年將發布Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A工藝，其中Intel 7已應用在Alder lake和Raptor Lake上。
Intel 4就是最初的7nm工藝，該製程節點採用EUV光刻技術，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣，每瓦性能約20%的提升以及晶片面積的改進，可應用下一代Foveros和EMIB封裝技術，將在Meteor Lake和Granite Rapids中亮相，預計2022年下半年投產，相關產品會在2023年出貨。Intel 3憑藉對FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV使用，相比Intel 4在每瓦性能上實現約18%的提升，將在2023年下半年做好生產準備。
到了Intel 20A和Intel 18A工藝，將憑藉RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。其中RibbonFET是對Gate All Around電晶體的實現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
據ASML的首席技術官Martin van den Brink此前的介紹，High-NA EUV光刻機會比現有的EUV光刻機更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因為光源，High-NA使用了相同的光源需要額外0.5兆瓦，ASML還使用水冷銅線為其供電。High-NA EUV系統將提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。
此外，新一代光刻機的價格也是驚人的，將從EUV光刻機的1.5億美元漲至4億美元以上。
