2023年末，ASML向英特爾交付了首台High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。英特爾將其作為試驗機，於2024年月在美國俄勒岡州希爾斯伯勒的Fab D1X完成安裝。這裡是英特爾半導體技術研發基地，可以更好地了解High-NA EUV設備的使用，獲得寶貴的經驗。
英特爾宣布，已安裝了新的TWINSCAN EXE:5200B系統。這是目前全球最先進的光刻機，屬於第二代High-NA EUV，將用於Intel 14A製程節點。在ASML的合作下，已完成Intel 14A在英特爾晶圓廠的驗收測試，以提高晶圓產量。
TWINSCAN EXE:5200B在標準條件下，產量達到了每小時175片晶圓，英特爾計劃做進一步調整，提升至每小時200片晶圓以上。新系統還提升了套刻精度，達到了0.7nm，這是建立在英特爾過去一年多對High-NA EUV光刻機使用經驗之上。
英特爾表示，High-NA EUV是其晶圓代工技術庫中的重要能力，結合了自身在掩模、蝕刻、解析度增強和計量等相關領域的技能，實現了當今晶片所需的更精細電晶體細節。對設計師來說，這帶來了更靈活的設計規則，減少步驟和掩蔽次數的能力意味著流程更簡化，良品率更高，而且時間更短。 目前英特爾仍處於早期階段，但這標誌著在為客戶提升效率與生產力方面取得了積極進展。
在上周的2025 IEEE IEDM上，英特爾還與imec合作展示了對2DFET材料氧化物帽層，核心創新是選擇性凹陷刻蝕。
