在之前的FMS 2026峰會上，三星公布了面向下一代AI基礎設施的儲存技術路線圖，並首次展出zHBM、zNAND-O概念模型及業界首款V10 BV-NAND快閃記憶體，全面展示了其在AI時代的儲存創新實力。
據TrendForce報道，近日三星在SEMICON Taiwan 2026大會上，帶來了有關下一代HBM和zHBM的最新細節。
三星表示，HBM5的目標性能是2倍於HBM4E，而且有著20%的每瓦性能提升，另外將伴隨著熱阻降低20%，讓HBM5能夠更好地應對日益強大的AI加速器產生的熱量。傳聞三星為HBM5準備了12層、16層和20層堆疊的產品，基礎裸片（Base Die）也將採用2nm工藝，預計2028年左右開始量產。
zHBM是上次活動的核心亮點，通過先進晶圓鍵合技術將高頻寬記憶體（HBM）垂直堆疊於AI加速器上方，能大幅縮短數據傳輸路徑。三星稱，zHBM的目標性能和每瓦性能分別是HBM4E的8倍和3倍，另外熱阻將降低75%至90%，預計2029年後推出。
在NAND快閃記憶體領域，三星也在開發下一代技術。之前公布的zNAND-O概念模型目標2028年推出樣品，旨在能夠提供10倍於DRAM的大規模數據儲存密度，同時相比於普通NAND快閃記憶體有高出7倍的讀寫頻寬及能效。
三星還介紹了下一代儲存的「CUBE」框架，未來儲存戰略將圍繞四個重點展開，分別是：容量、利用率、頻寬和效率。
三星希望能夠在垂直方向擴展容量，而不需要擴大PCB的占用面積。三星認為3D儲存晶片不僅僅在於堆疊層，還需要優化架構以及邏輯和儲存晶片的布局，以降低延遲。通過用垂直高速通道替代水平數據路徑，縮短晶片之間的距離。此外，功耗和熱管理也要跟上，以最大限度地減少數據傳輸所需要的能量，提升每瓦性能指標。
