ASML宣布英特爾已使用High-NA EUV：光刻技術，以Intel 18A工藝實現量產

ASML宣布，英特爾正在Intel  18A工藝上採用High-NA EUV光刻技術，生產部分代號「Panther  Lake」的第三代酷睿Ultra系列處理器，成為了業界首個採用High-NA  EUV光刻技術大規模生產邏輯晶片的企業。目前英特爾位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的Intel 18A生產線已完成High-NA  EUV雙重認證，良品率達到了現有NXE EUV平台的水平。

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ASML表示，過去數十年裡，與英特爾一直保持緊密合作推動光刻技術的發展，並支持半導體的持續擴展。High-NA  EUV是極紫外光刻技術發展歷程里非常重要的下一步，旨在為先進晶片製造提供更精確的圖案化能力。未來雙方將在High-NA  EUV技術準備方面繼續展開密切合作，並根據客戶需求靈活將其整合到未來製程節點中。

2023年末，ASML向英特爾交付了首台High-NA  EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。英特爾將其作為試驗機，於2024年4月在美國俄勒岡州希爾斯伯勒的Fab  D1X完成安裝。提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。

去年末，英特爾安裝了新的TWINSCAN EXE:5200B系統，屬於第二代High-NA EUV，是目前全球最先進的光刻機。新系統還提升了套刻精度，達到了0.7nm，這是建立在英特爾之前一年多對High-NA EUV光刻機使用經驗之上。