在2021年7月的「英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發布會」上，英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）展示了一系列底層技術創新，表示將憑藉RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。
其中RibbonFET是對Gate All Around電晶體的實現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
英特爾已宣布，在下周的VLSI研討會發表新論文，介紹PowerVia技術的成果。英特爾表示，測試結果顯示，PowerVia技術具有領先行業的性能表現。
英特爾表示，藉助PowerVia這項新的供電技術，實現了晶片製造的新突破，將顛覆晶片製造業。英特爾計劃在2024年上半年推出的Intel 20A工藝，將率先引入PowerVia技術，以解決縮放區域中日益嚴重的互連瓶頸問題，將供電移到晶圓背面使得電力傳輸的利用率超過了90%，並在其他方面也會獲得收益。
據英特爾介紹，開發團隊打造了名為「Blue Sky Creek」的晶片進行測試，其基於Meteor Lake所使用的E-Core，結果表明PowerVia解決了過往製造方法中存在的兩個問題，新技術可以帶來更好的電力傳輸和信號布線，同時頻率也提高了5%以上。
明年消費者可以通過Arrow Lake感受到PowerVia的諸多優勢，這是一款採用Intel 20A工藝製造的處理器，比以往任何時候都更有效率。英特爾稱，PowerVia技術的出現使其在背面供電方面領先競爭對手大約兩年。
