根據三星最近發布的論文，製造16層及以上的高帶寬內存（HBM）內存必須採用混合鍵合技術（Hybrid bonding）。
三星上個月在2024年IEEE中發布一篇韓文論文，名為《用於HBM堆棧的D2W（晶粒到晶片）銅鍵合技術研究》，提到16層及以上的HBM須採用混合鍵合技術。該公司計劃2025年製造HBM4樣品，應為16層堆棧，並於2026年量產。
混合鍵合是下一代封裝技術，目的是晶片通過矽穿孔（TSV）或微型銅線進行垂直堆棧時，中間沒有凸點。韓媒The Elec指出，由於是直接堆棧，所以混合鍵合也稱為「直接鍵合」。
與目前三星所使用的熱壓焊接（TC）相比，Hybrid bonding可焊接更多晶片堆棧，維持更低的堆棧高度並提高熱排放效率。三星指出，降低高度是採用混合鍵合的主因，內存高度限制在775微米內，在這高度中須封裝17個晶片（即一個基底晶片和16個核心晶片），因此縮小晶片間的間隙，是內存大廠必須克服的問題。
最開始記體大廠計劃儘可能減少核心晶片的厚度，或者減少凸點間距，但除混合鍵合外，這兩種方法都已達極限。知情人士透露，很難將核心晶片做得比30微米更薄。由於凸點具有體積，通過凸塊連接晶片會有一定局限性。
三星4月使用子公司Semes的混合鍵合設備製作HBM 16H樣品，並表示晶片運行正常。目前貝思半導體（BESI）和韓華精密機械（Hanwha Precision Machinery）也在開發混合鍵合設備。
（首圖來源：三星）
