過去一段時間裡，有關4F² DRAM的話題掀起了不少討論。一方面長鑫儲存（CXMT）對外公布了4F²單元結構研發取得關鍵進展，預計於今年末推出融合4F²單元結構與混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM產品。另一方面，美光宣布終止4F²單元結構的DRAM開發，選擇繼續擴展6F²單元結構，同時將3D DRAM作為長期替代方案。
據TrendForce報道，SK海力士在2026財年第三財季的財報電話會議上表示，計劃通過改進工藝及穩定的平台運營，最大限度地發揮現有6F²單元結構的性能潛力，同時繼續推進4F²單元結構和3D DRAM的開發，作為下一代產品的潛在選項。
相比於6F²單元結構，新的4F²單元結構將每個儲存單元面積從 3F×2F 減少至 2F×2F，並運用更先進的擴展方法，在相同晶片尺寸內將單元密度提升了30%至50%，其中「F」代表光刻工藝的最小特徵尺寸。不過這種密度的提升也是有代價的，首先更小的儲存單元不一定能提高製造效率，因為生產工藝變得複雜，可能會推高成本並降低良品率。這是出於這一考慮，美光才選擇放棄4F² DRAM。
EUV光刻技術為6F² DRAM的擴展提供了更大的空間，SK海力士認為將成熟架構潛力最大化是最有效的策略，不但能保證生產的穩定性，還能保持成本的競爭力。另外SK海力士還同步推進4F² DRAM和3D DRAM的開發工作，分階段進行，具體將取決於各項技術的成熟程度與經濟上的可行性。
今年3月，三星首次採用10nm以下工藝製造了DRAM工程晶片，並在器件特性測試中確認可以正常工作。全新的10a DRAM工藝將實際線寬縮小至9.5nm至9.7nm之間，成為了業界首個跨入到個位數nm級別的sub-10nm DRAM工藝技術。其中有兩項關鍵技術，分別是4F²單元結構和VCT技術。
三星計劃於2026年內完成10a DRAM工藝開發，2027年進行質量測試，2028年轉入量產階段。
