今年5月，三星宣布開始向全球範圍內的主要客戶交付業界首批12層堆疊HBM4E
樣品，進一步鞏固自身在下一代HBM市場的領導地位。其初始速率為14Gbps，每堆棧最高可達3.6TB/s的頻寬，比起HBM4提高了20%以上，12層堆疊提供了48GB容量，比起上一代產品也提高了30%以上。
據TECHPOWERUP報道，近日三星已經確認，將帶來速率為16Gbps的HBM4E。目前HBM4E項目進展順利，代表了三星在高頻寬儲存技術領域又一重要里程碑，能夠實現令人印象深刻的高速性能。
三星結合了之前在HBM4生產實踐中不斷完善的前沿技術，在HBM4E上採用了1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM晶片，搭配4nm（SF4）工藝的基礎裸片（Base Die），使其具備了更高的工藝穩定性和製造可行性。另外三星還結合了先進的低功耗設計技術，並優化了封裝結構，使得HBM4E能效提升了16%，熱阻特性比上一代提升了14%以上。
隨著速率的提升，每堆棧頻寬將提高至4TB/s，考慮到AI加速器可以搭配12個HBM4E，總頻寬將相當可觀。三星計劃根據客戶的需求，另外再提供32GB（8層堆疊）和64GB（16層堆疊）配置。三星已經逐步解決了過去幾年裡DRAM製造方面遇到的技術和良品率問題，提供的HBM4E也更多地被英偉達所重視。
