英特爾正在按計劃實現其「四年五個製程節點」的目標，目前，Intel 7，採用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。正在順利推進中的Intel 20A和Intel 18A兩個節點，將繼續採用EUV技術，並應用RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術，助力英特爾於2025年重奪製程領先性。
在「四年五個製程節點」計劃之後，英特爾將繼續採用創新技術推進未來製程節點的開發和製造，以鞏固製程領先性。High NA EUV技術是EUV技術的進一步發展，數值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線能力的指標。通過升級將掩膜上的電路圖形反射到矽晶圓上的光學系統，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高解析度，從而有助於電晶體的進一步微縮。
作為Intel 18A之後的下一個先進制程節點，Intel 14A將採用High NA EUV光刻技術。此外，英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數個演化版本，以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。
為了製造出特徵尺寸更小的電晶體，在集成High NA EUV光刻技術的同時，英特爾也在同步開發新的電晶體結構，並改進工藝步驟，如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。
將研究成果轉化為可量產、可應用的先進產品，是英特爾50多年來的卓越所在。英特爾將繼續致力於通過創新技術推進摩爾定律，以推動AI和其它新興技術的發展。
