SK海力士去年宣布，已成功開發出全球首款集成HKMG工藝的LPDDR5X內存，採用1αnm工藝製造，並開始推向市場。不過近期SK海力士在DRAM生產過程中出現事故，原因在於high-k材料存在質量問題。
據The Elec報道，這起DRAM生產事故的原因是SK Trichem提供的鋯（Zr）基high-k材料含有雜質，導致SK海力士DRAM工廠的部分生產設備停止運行。SK海力士表示，由於立即安排了清潔等措施應對，所以事故沒有造成生產上的損失。
SK海力士稱，正在對SK Trichem造成的設備生產中斷和更換零件等情況進行必要的審查，會按照合同條款對SK Trichem要求賠償。目前SK海力士已暫停從SK Trichem採購材料，直到問題解決為止。
為了應付未來一段時間的生產，SK海力士所需的high-k材料暫時由UP Chemical和M Chemical供應。其中UP Chemical在數年前被國內企業收購了96.28%的股權，這是全球僅有的三家實現半導體存儲晶片SOD產品穩定量產供應的半導體材料廠商之一。
SK Trichem表示，這次事故的原因是其提供的high-k材料的純度有問題，導致某些設備的壓力增加，從而出現停產。high-k材料屬於前驅體材料，沉積在DRAM電容器的原子水平上，由於電容器直接決定DRAM的性能，因此high-k材料的質量至關重要。目前SK Trichem仍在為SK海力士同一生產線的其他設備提供材料，並計劃在本月末向SK海力士恢復供應，提供符合質量要求的產品。
