台灣晶片代工大廠力積電（PSMC）傳出將和日本創業公司企業合作，目標在2029年量產磁阻式隨機訪問內存（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory），將利用力積電計劃在日本興建的晶片廠第2期工程產線進行量產。
日經新聞4日報道，力積電將在2024年上半年和發源於日本東北大學、從事半導體技術研發的創業公司企業「Power Spin」進行合作，目標量產MRAM。據報道，東北大學常年來持續研究MRAM，而Power Spin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動研究、試產後，目標在2029年開始進行量產，期待可應用於生成式AI用數據中心。
報道指出，力積電攜手日本網路金融巨頭SBI Holdings，計劃在日本宮城縣興建晶片廠，而該晶片廠將分為2期工程，第1期工程目標2027年投產、第2期工程目標2029年投產，而力積電預計將利用第2期工程產線，於2029年量產MRAM。
據報道，理論上來說，MRAM耗電力可壓低至現行內存（DRAM、NAND Flash）的百分之一，且寫入速度快、即便切斷電源數據也不會消失，不過除了製造成本高之外，和現行內存相比，耐久性、可靠性等問題仍需克服，而力積電計劃藉由量產壓低MRAM成本。
據報道，美國半導體大廠Everspin Technologies已量產MARM產品，而Power Spin首席技術官遠藤哲郎（東北大學教授）指出，2022年MRAM市場規模達300億日元。
力積電、SBI 2023年10月31日宣布，雙方計劃在日本興建的首座晶片廠確定將落腳宮城縣、已選定宮城縣黑川區大衡村的第二北仙台中央工業園區為預定廠址。上述晶片廠將分為2期工程，第1期工程目標2027年投產、以12英寸矽晶片換算的月產能為1萬片，將生產40nm、55nm晶片，第2期工程預計2029年投產，除上述40nm、55nm產品之外，也將生產28nm以及活用WoW（Wafer-on-Wafer）技術的晶片，屆時工廠滿負荷生產時、月產能將達4萬片。
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