近日英特爾電子元件技術大會 (ECTC) 上介紹
了多項封裝技術突破，概述了多種新型晶片封裝技術的優勢。
其中有三種值得關注的新型封裝技術，包括：EMIB-T，用於提升晶片封裝尺寸和供電能力，以支持HBM4/4E等新技術；一種全新的分散式散熱器設計；以及一種全新的熱鍵合技術，可提高可靠性和良率，並支持更精細的晶片間連接。
英特爾代工廠旨在利用尖端工藝節點技術，為內部和外部公司生產晶片。隨著處理器越來越多地採用複雜的異構設計，將多種類型的計算和內存組件集成到單個晶片封裝中，從而提升性能、成本和能效，這依賴於日益複雜的先進封裝技術。
EMIB-T可提升關鍵的封裝供電效率指標，並加快了晶片間通信速度。標準EMIB連接由於採用懸臂式供電路徑而存在高電壓降問題，而EMIB-T利用矽通孔（TSV） 從晶片封裝底部通過TSV橋接晶片進行供電，從而實現了直接、低電阻的供電路徑，這對於HBM4/4E集成至關重要。與此同時，TSV還提升了晶片間的通信帶寬，使用UCIe-A 互連技術，將數據傳輸速率提升至32 Gb/s或更高。
EMIB-T還能實現更大的晶片封裝尺寸，達到120 x 180 mm，並在單個大型晶片封裝中支持超過38個橋接器和超過12個矩形大小的裸片。EMIB-T可支持35微米的凸塊間距，25微米間距也在開發之中，遠勝於初代EMIB的55微米和第二代EMIB的45微米。此外，EMIB-T還兼容有機或玻璃基板，其中玻璃基板是英特爾未來晶片封裝業務的關鍵戰略方向。
英特爾還披露了一種全新的分解式散熱器技術，可將散熱器分解成平板和加強筋，以改善散熱器與位於散熱器和底層晶片之間的熱界面材料（TIM）之間的耦合，另外還有助於將TIM耦合焊料中的空隙減少25%。
英特爾展示了一款集成微通道的散熱器，液體可直接通過IHS冷卻處理器，可支持TDP高達1000W的處理器封裝。
英特爾在伺服器和消費產品中都採用了熱壓粘合技術，現在還開發出一種專門針對大型封裝基板的新型熱壓粘合工藝，有助於克服粘合過程中的晶片和基板翹曲，可最大限度地減少了鍵合過程中封裝基板和晶片之間的熱差，從而提高了良率和可靠性指標，並實現了比目前大批量生產中更大的晶片封裝。
該技術還能實現更精細的EMIB連接間距，有助於從EMIB-T中榨取更高的密度。
