據最新供應鏈消息,英特爾代工服務正憑藉其EMIB
先進封裝技術吸引大量外部客戶關注。儘管該技術備受矚目,但最新的EMIB-T
變體預計將於2027年才進入大規模量產階段。

EMIB作為一種嵌入基板的矽橋技術,能夠在不使用昂貴全尺寸矽中介層的情況下,實現高密度、低成本的晶片間互連。其中,集成矽通孔
的EMIB-T版本尤為關鍵,它允許ASIC直接獲取電源連接,從而在單一封裝內支持數千瓦級的高性能計算方案。目前,英特爾正優先提升常規EMIB及Foveros
技術的產能,為EMIB-T的後續放量鋪路。
Digitimes表示,包括博通和Meta在內的ASIC設計廠商正考慮從台積電CoWoS
轉向英特爾EMIB方案。據PCB及基板供應商欣興電子透露,EMIB-T與CoWoS-L/R之間的成本差距最高可達50%,這為客戶節省了可觀的封裝開支以投入其他研發生產環節。
與此同時,台積電在CoWoS-L設計上也遭遇挑戰。據傳,在為NVIDIA Vera Rubin架構提供的2+2die封裝中,台積電出現了基板翹曲問題,包含基板的封裝在多方向彎曲,導致四芯粒架構的Rubin Ultra計算晶片無法與基板完全貼合,這進一步促使客戶探索替代方案。
對於英特爾而言,外部客戶對EMIB全系列技術的積極評估是其代工業務的重要突破。從標準EMIB到EMIB-M及EMIB-T,客戶旨在實現多光罩晶片與高頻寬內存的異構集成。若英特爾能如期在2027年實現EMIB-T量產並解決良率挑戰,其有望憑藉顯著的成本優勢和技術差異化,在先進封裝領域有效分流台積電的客戶資源,重塑晶圓代工競爭格局。






