去年8月，SK海力士宣布已成功開發出全球首款採用1cnm（第六代10nm級別）工藝的16Gb DDR5 DRAM，並計劃2024年以內完成量產準備工作，從2025年開始供應產品，繼續引領半導體存儲器市場的發展。
據TrendForce報道，SK海力士已接近完成量產驗證，計劃2025年2月開始量產1cnm DRAM晶片，成為全球首家運用1cnm工藝生產DRAM晶片的存儲器供應商。預計新產品將率先用於數據中心，不但提升了性能，還能降低功耗。
另一方面，三星也希望儘早量產1cnm DRAM晶片，之前已組裝了生產線，不過僅限於試產。雖然三星在2024年末已獲得了首個功能齊全的1cnm DRAM晶片，但是還沒有達到60%-70%的良品率，量產時間可能延後，將推遲到2025年6月，比原計劃晚了大概半年。
此前有報道稱，三星已經開始向Lam Research等合作夥伴訂購設備，以便在平澤P4工廠建造1cnm DRAM晶片的生產線，預計2025年第一季度開始進行安裝。與SK海力士有些許不同，三星打算新工藝首先用於HBM4使用的DRAM晶片。也就是說，1cnm DRAM的量產將影響三星HBM4的工作進度。
為了避免最壞的情況，三星正在調整1cnm DRAM的設計，並將盡最大努力加快開發進程。
