大家都知道，當下先進工藝（尤其是7nm以下），基本都依賴ASML的EUV極紫外光刻機。
按照傳統認知，沒有EUV就造不出先進工藝，那有沒有其他辦法呢。
前段時間，世界上就有一種「特殊」5nm的消息傳出，它是怎麼來的呢？
有報道稱，這種5nm採用了完全不一樣的技術路線，避開了EUV光刻機的依賴，採用一種步進掃描光刻機，通過多重曝光實現5nm線寬。
光刻機是整個晶片製造過程中最為核心的設備，主要功能是將掩模上的電路圖案通過光學系統投射到塗有光刻膠的矽片上，在光刻膠上形成精細的圖案，就像 「畫工」 在矽片上繪製電路圖，晶片的製程由光刻機決定。
另外，刻蝕機採用某5nm刻蝕設備，精度達到原子級，號稱刻蝕速率比以往水平提升15%。
在光刻完成後登場，刻蝕機的主要作用是按照光刻機標註好的圖案，通過化學或物理作用，將矽片上多餘的部分，如未被光刻膠保護的材料腐蝕掉，留下需要的部分，以形成半導體器件和連接的圖案，類似於 「雕工」。
不僅如此，量測設備也採用了新的電子束量測系統，實現nm級缺陷檢測的替代。
也就是說，這種「另闢蹊徑」的方法，帶動了半導體設備、材料、設計工具等全產業鏈發展。
說不定，未來這種辦法，也能造出3nm，大家不妨拭目以待。
