三星最新季度業績未達預期，公司正努力進軍利潤豐厚的高帶寬內存 (HBM) 市場。目前該市場由 SK 海力士領跑，美光科技緊隨其後。
HBM 技術通過在中介層上堆疊 DRAM 層來製造內存產品，這些產品與 GPU 相連，相比 x86 處理器使用的插槽連接內存，能提供更快的帶寬和更大的容量。HBM 內存比普通 DRAM 成本更高，隨著 AI 應用的使用量增加，對高帶寬 GPU 內存的需求也隨之上升，這使得 SK 海力士和美光的收入大幅增長。去年 11 月，SK 海力士在其 12 層 HBM3e 內存晶片上增加了 4 層，使容量從 36GB 提升到 48GB，並計劃於今年推出這款 16 層產品樣品。更快的 HBM4 標準也將於今年推出，堆棧帶寬約為 1.5 TBps，相比之下 HBM3e 的帶寬為 1.2 TBps。
三星公布的截至 12 月 31 日的季度初步數據顯示，營收為 75 萬億韓元 (514 億美元)，同比增長 10.7%，但低於分析師預期；營業利潤為 6.5 萬億韓元 (45 億美元)，低於預期的 8.96 萬億韓元 (61 億美元)，較上一季度下降 30%。
管理層表示："我們第四季度的營業利潤預計將顯著低於市場預期。在發布完整業績報告之前，我們提供這份說明以幫助理解業績背後的關鍵因素並減少不確定性。"
"儘管傳統 PC 和移動產品需求疲軟，但內存業務收入在高密度產品強勁銷售的推動下創下第四季度新高。然而，由於為確保未來技術領先地位而增加的研發支出，以及擴大先進技術生產能力的初期成本，內存業務的營業利潤有所下降。"
集邦科技分析師 Eden Chung 向法新社表示，他認為三星代工業務面臨多重挑戰，包括"在先進制程中失去重要客戶訂單、某些產品逐漸停產，以及成熟製程領域復甦緩慢"。
HBM 晶片製造比傳統 DRAM 更有利可圖。一旦 GPU 市場領導者英偉達認證了製造商的 HBM 產品，銷售就會起飛。三星在獲得英偉達對其最新 HBM 晶片的認證方面落後於 SK 海力士和美光。去年 11 月，公司因應對內存晶片銷售放緩而更換了半導體部門領導層，這是當年第二次高管重組。一個月前，公司曾承認陷入危機，並對其技術競爭力表示擔憂。
移動手機內存需求相對疲軟，中國國內 DRAM 供應商在當地市場占據越來越大的份額。
據路透社報道，英偉達 CEO 黃仁勛在 CES 展會上向記者表示，三星正在開發新的 HBM 晶片設計，他對三星在這個項目上取得成功充滿信心。
