ASML稱已經有10套High-NA EUV系統上線：分布在四個客戶，另外3套部署中

隨著晶片製造商加速推進先進制程節點，High-NA EUV系統再次受到大家的關注，也讓ASML（阿斯麥）更加高調地宣傳新一代光刻技術。今年7月，ASML宣布英特爾已在Intel 18A工藝上採用High-NA EUV光刻技術，生產部分代號「Panther Lake」的第三代酷睿Ultra系列處理器，成為了業界首個採用High-NA EUV光刻技術大規模生產邏輯晶片的企業。

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據TrendForce報道，近日ASML高級副總裁兼High-NA EUV產品主管Greet Storms在出席活動時透露，目前全球已經有10套High-NA EUV系統上線，分別安裝在4個客戶的晶圓廠，另外還有3套High-NA EUV系統正在出貨或者安裝當中。

Greet Storms表示，High-NA EUV系統正邁向高量產階段，ASML已經為其制定了多代生產力路線圖：在AB模式下，預計產能將從TWINSCAN EXE:5200B的135 WPH提升至TWINSCAN EXE:5200C的160 WPH，然後再到TWINSCAN EXE:5200D的175 WPH，最後到TWINSCAN EXE:5200E的180 WPH。如果換成AA模式，預計產能將超過210 WPH。

在更長遠的未來，ASML還將推出TWINSCAN EXE:5600，目標產能將超過250 WPH。

除了邏輯晶片外，High-NA EUV系統也為DRAM擴展提供了可能。SK海力士去年在M16晶圓廠已安裝TWINSCAN EXE:5200B，外界猜測SK海力士會嘗試用於新型DRAM晶片製造上。三星也同樣安裝了High-NA EUV系統，預計2030年在1nm製程節點引入，至於DRAM方面的情況暫時還不清楚。