數月前就有報道稱，在人工智慧（AI）熱潮推動的儲存器需求激增的大背景下，三星和SK海力士不斷擴大生產投資，這一舉動不只是限於韓國國內，也包括中國大陸地區，而且正在加速，包括DRAM和NAND快閃記憶體製造廠的生產線擴建，以及技術與設備的大規模升級。其實更早之前，三星和SK海力士就打算這麼做了，不過受制於美國政府的設備管制措施，拖延了較長的一段時間。
據Wccftech報道，三星和SK海力士正在評估來自中微半導體
（AMEC）的製造設備，可能最終安裝在其中國大陸的工廠里。在設備採購受限制的情況下，三星和SK海力士選擇拓展新的採購渠道，也為國產設備提供了更多的市場機會。
三星在西安的NAND快閃記憶體工廠是其唯一的海外儲存晶片生產廠，也是最大的儲存晶片生產基地。三星花了十年的時間，分兩期工程建設，總產量最高可達到每月25萬片晶圓，是全球單個產能最高的NAND快閃記憶體工廠，占據了三星約35%至40%的NAND快閃記憶體產能。目前三星計劃升級生產線，從128層第6代V-NAND快閃記憶體升到236層第8代V-NAND快閃記憶體，然後再提升至400層第10代V-NAND快閃記憶體。
SK海力士在大連有NAND快閃記憶體工廠，在無錫有DRAM工廠，前者占據了其NAND快閃記憶體總產量的40%至45%，後者則占據了其DRAM總產量的35%至40%。SK海力士打算2026年下半年重啟大連二廠的擴建工程，新的生產線能生產238層NAND快閃記憶體，月產能目標為3萬至5萬片晶圓。另外SK海力士計劃升級無錫工廠的DRAM工藝，從1znm（第三代10nm級別）升級至1αnm（第四代10nm級別）。
