路透社報道，處理器大廠英特爾 (Intel) 日前產業會議透露，開始用兩台艾司摩爾（ASML）High-NA Twinscan EXE:5000 EUV微影曝光機。英特爾工程師Steve Carson表示，俄勒岡州Hillsborough附近D1工廠開始用ASML兩台High-NA EUV，至今處理達3萬片晶片。
每台High-NA EUV成本高達3.5億歐元，英特爾更是全球第一家安裝High-NA EUV的主要晶片商。英特爾接下來幾年將用它們生產Intel 14A晶片。
領先競爭對手使用新製造工具非常重要，因能使英特爾開發各種High-NA EUV技術（如光罩玻璃、光罩保護膜、化學品等），最終可能成為產業標準。ASML準備據英特爾工程師反饋開發Twinscan EXE:5000 High-NA EUV，可能會使英特爾更具競爭優勢。
英特爾表示新系統「比舊型號更可靠」，雖報道未詳細說明ASML Twinscan EXE:5000是否比2013年生產Twinscan NXE:3300更可靠，或比量產型號Twinscan NXE:3600D/NXE:3800E更可靠。考慮到ASML對NXE和EXE用類似光源，可能正如英特爾所說，非常可靠。
ASML Twinscan EXE High-NA EUV只需一次曝光即可完成低至8納米的解析度，與一次曝光13.5納米解析度一般標準EUV相較，是重大改進。前代一般標準EUV仍可雙重曝雷射雷達8納米解析度，但會拉長生產周期，並影響良率。
與一般標準EUV相較，High-NA EUV將曝光範圍縮小一半，需晶片開發人員更改設計。有鑑於High-NA EUV微影系統成本和特殊性，所有晶片商都採用不同策略。英特爾成為第一個用戶後，對手台積電更謹慎。
(首圖來源：英特爾)
