「SANIT」品牌將推出SAINT S、SAINT D及SAINT L三種技術台積電SoIC 、英特爾Fooveros，聯電W2W 3D IC齊出擊
隨著半導體組件微縮製程逼近物理極限，允許將多個組件整合封裝成為單一電子組件，進而提升半導體性能的先進封裝技術便成為全新兵家必爭之地。對此，台積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等製造大廠展開了激烈的競爭。率先推出3Dfabric先進封裝平台的台積電取得絕對領先的地位。為了迎頭趕上，三星計劃明年推出「SAINT」先進3D晶片封裝技術。
ChatGPT等生成式AI應用帶動，市場殷切需要能快速處理大量數據的半導體，先進封裝技術因此迅速發展。調研機構Yole Intelligence數據顯示，全球先進晶片封裝市場從2022年443億美元增長到2027年660億美元。660億美元，3D封裝預計將占約25%（也即150億美元市場規模），如此驚人數字，自然帶動立體封裝發展盛況。
三星2021年推出2.5D封裝技術「H-Cube」後，便一直加速晶片封裝技術的開發，4月表示提供封裝統包服務（package turnkey service），處理從晶片生產到封測整個過程。
業界先進封裝主流是2.5D封裝，全球第一代晶片代工廠台積電憑有十年歷史的2.5D封裝，持續在全球2.5D到3D先進封裝市場占據領先地位。身為全球第二大晶片代工廠的三星無法坐視長期落後局面，計劃推出3D封裝技術SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星先進互聯技術），能以更小尺寸的封裝，將AI晶片等高性能晶片內存和處理器集成。
知情人士12日表示，三星計劃「SANIT」品牌推出三種技術：垂直堆棧SRAM和CPU的「SAINT S」、CPU、GPU等處理器和DRAM內存垂直封裝的「SAINT D」、應用處理器（AP）堆棧的「SAINT L」。
「SAINT S」等新技術已通過驗證測試，但消息人士指出，三星與客戶完成進一步測試後明年推出商用服務，目標是通過SAINT新技術，提高數據中心AI晶片及內置AI功能手機應用處理器的性能。
反觀業界其他領導製造企業的3D封裝發展狀況，台積電正大手筆斥資測試和升級自家3D晶片間堆棧技術「SoIC」，以滿足蘋果和Nvidia等客戶需求。台積電7月表示，投資新台幣900億元台灣新建先進封裝廠。至於英特爾，開始使用自家新一代3D晶片封裝技術「Fooveros」製造先進晶片。
本月稍早，世界第三大晶片代工廠聯華電子（UMC）推出晶片對晶片（Wafer-to-Wafer，W2W）3D IC項目，利用矽堆棧技術提供高效集成內存和處理器的尖端解決方案。
聯華電子表示，W2W 3D IC項目雄心勃勃與日月光、華邦、智原科技（Faraday）和益華電腦（Cadence Design Systems）等先進封裝廠及服務公司合作，以便充分利用3D晶片集成技術滿足邊緣AI應用的特定需求。
（首圖來源：三星）
