半導體領域已經發展到了一個瓶頸期，似乎這幾年製程進步十分地緩慢，此時就需要廠商去挑選全新的電晶體材料，來應對未來的電晶體發展。目前英特爾就向行業展示了多款電晶體材料，可以讓漏電率降低到目前的千分之一，為今後的工藝進步提供材料上的支持。
據悉英特爾這一次展示的三種材料分別為鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、氧化鈦(TiO)以及鈦酸鍶(STO)，主要用於電晶體中的金屬中間層，英特爾表示這種材料最大的作用就是能夠讓電晶體在持續不斷地減少體積的同時還能保持相對穩定的供電。
根據英特爾提供的參數，這種新材料能夠讓電晶體的平面電容值提高到每平方微米60-98飛法拉，並且漏電率為目前材料的千分之一，能夠有效地減少由於漏電導致的性能下降的情況。除了電晶體新材料之外，英特爾也在本次大會上展示了全新的GaN芯粒技術，用於取代矽的二維材料以及相關的工藝，此外還與其他的大學共同研究如何利用全新的技術來有效地降低數據中心的功耗以及提升AI算力需求。
當然這些前沿技術還處於早期的研究階段，甚至還僅僅停留在提出想法的階段，未來還需要各個學科不斷地進步才能將這些尖端技術落地，預計還得要3-5年，對於消費者來說，目前的半導體材料逐漸進入到了瓶頸期，肯定是希望科學家能夠儘早突破瓶頸，從而為大家帶來性能更加強勁的終端產品。
