近日Intel發文介紹了在IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上展示的多項技術突破。
在新材料方面，減成法釕互連技術(subtractive Ruthenium)最高可將線間電容降低25%，有助於改善晶片內互連。
Intel代工還率先展示了一種用於先進封裝的異構集成解決方案，能夠將吞吐量提升高達100倍，實現超快速的晶片間封裝(chip-to-chip assembly)。
此外，Intel代工還展示了矽基RibbionFET CMOS (互補金屬氧化物半導體)技術，以及用於微縮的2D場效應電晶體(2D FETs)的柵氧化層(gate oxide)模塊，以提高設備性能。
在300毫米GaN(氮化鎵)技術方面，Intel代工也在繼續推進研究，製造了業界領先的高性能微縮增強型GaN MOSHEMT(金屬氧化物半導體高電子遷移率電晶體)。
可以通過減少信號損失，提高信號線性度和基於襯底背部處理的先進集成方案，為功率器件和射頻器件等應用帶來更強的性能。
Intel代工還認為，以下三個關鍵的創新著力點將有助於AI在未來十年朝著能效更高的方向發展：
先進內存集成(memory integration)，以消除容量、帶寬和延遲的瓶頸;
用於優化互連帶寬的混合鍵合;
模塊化系統(modular system)及相應的連接解決方案
