近年內存市場局勢發生變化，韓國兩大內存廠商三星和SK海力士面臨中國廠商激烈競爭，感受到更高競爭壓力，技術差距也不斷縮小。
韓國媒體Business Korea報道，市場人士透露，中國增加支持內存產業，經過多年發展，與世界領先企業NAND Flash閃存技術差距縮短到兩年。不過DRAM仍保持距離，技術差距約五年。縮短差距主因是NAND Flash閃存門檻相對低，追趕速度不斷加速，差距縮小幅度會更明顯。
中國最大內存半導體企業長江存儲2022年閃存高峰會（FMS），發布基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC閃存，名為X3-9070。長江存儲也領先三星和SK海力士，更快量產高層數NAND Flash閃存。
2022整年中國政府與國有投資基金投資就達約500億，持續且大量資金投入支持以取得發展，一方面是技術追趕，另一方面是更快滲透市場。半導體電路小型化逼近極限，中國可能抓住另一個縮小技術差距的機會，就是先進封裝技術。中國是全球第二大封裝技術市場，有完善生態系統，長電科技、通富微電和華天科技都進入全球十大半導體封裝企業，韓國沒有一家公司進入榜單。
(首圖來源：三星)
