美光（Micron）於3月25日正式推出基於全新1γ（1-gamma）製程技術的16Gb DDR5內存，這是美光首次採用極紫外光（EUV）曝光技術。新內存不僅比前代產品具備更高性能、功耗更低，製造成本有望進一步下降。此外，美光表示，其1γ製程技術（第六代10nm級節點）未來將應用於其他DRAM產品。
美光基於1γ製程的主力產品為16Gb（2GB） DDR5內存，在業界標準電壓1.1V下運行時，數據傳輸速率達9200 MT/s。與前代1β製程的16Gb DDR5內存相比，新款內存耗電量降低20%，位元密度提升30%，當新晶片的良率達到1β 16Gb DRAM的水準時，製造成本預計將下降。
美光指出，1γ DRAM是繼領先業界的1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM製程節點之後，再次樹立的重大里程碑，並將有效賦能雲計算、工業與商業消費端及邊緣AI設備（如AI PC、智慧型手機及汽車等）等未來運算平台。
雖然美光將其最新16Gb DDR5內存標示為9200 MT/s，但此速度明顯高於DDR5最新規範中的標準速率。美光強調，該晶片仍可在JEDEC規範的標準速度下正常運行，而較高的速度等級則可與未來CPU有一定兼容性。美光還指出，CUDIMM或基於CXL的內存模塊有望利用超越JEDEC標準的更高頻率，且發燒級DIMM產品也可能採用這些新DRAM，打造突破10,000 MT/s的超頻模塊。
美光目前正與筆記本和伺服器製造商測試基於1γ製程的16Gb DDR5內存晶片與模塊，並進行抽樣測試，預計將在一或兩季內完成資格審核，意味美光最新內存產品有望2025年中旬開始進入市場。美光預期，台式機、筆記本及伺服器等所有類型的內存模塊都將採用這款新晶片。
隨著時間推移，美光將利用1γ製程技術生產其他類型的內存產品，包括GDDR7、LPDDR5X（最高可達9600 MT/s） 以及數據中心級產品，使1γ節點成為公司核心技術主力。
美光1γ製程是該公司首次採用極紫外光（EUV）微影製程，其他領先的內存製造商數年前就已導入EUV。雖然美光較晚採用，但1γ製程相較於現有產品線具備顯著優勢。
美光並未透露1γ製程使用多少層EUV，但推測主要是在關鍵層導入EUV微影技術，這些層若使用傳統的多重曝光（multi-patterning）技術，將延長生產周期並影響良率。美光表示，1γ製程採用EUV搭配深紫外光（DUV）多重曝光技術，並引入新一代高介電常數金屬閘極（High-K Metal Gate）與全新後段製程（Back-End-of-Line，簡稱BEOL）電路。
目前美光1γ DRAM主要在日本晶片廠生產，該廠於2024年安裝美光首套EUV設備。隨著1γ內存產量提升，美光計劃在日本與台灣晶片廠增加更多EUV設備。
美光科技執行副總裁暨技術和產品首席執行官Scott DeBoer表示，美光運用其開發專有DRAM技術的專業知識，搭配EUV微影技術的策略性運用，形成頂尖1γ內存的強大產品組合，以推動AI產業生態系統向前邁進。
（首圖來源：美光）
