根據市場消息指出,晶片代工龍頭台積電預計自2納米製程開始採用GAA(全柵極環繞)架構的計劃將如期執行。現階段位於新竹科學園區的寶山P1晶片廠,預計最快將在2024年的4月份開始進行設備安裝的工程,這也將使得P2工廠和高雄工廠都將於2025年開始生產GAA架構的2納米製程技術。
而因為P2工廠和高雄工廠都將於2025年開始生產GAA架構的2納米製程技術,加上中科部分初步規劃的A14和A10生產線,未來也將應對市場的需求狀況,進一步規劃2納米製程技術的情況下,未來2納米製程技術將會成為台積電接下來一個重要的製程節點。在此情況下,半導體設備廠商包括國際大廠ASML、應用材料,還有多家台灣供應商都將預計將能迎接新一階段的商機。
根據台積電的財報顯示,2023年第三季在3納米製程技術的營收占比約為6%左右,現階段3納米製程的月產能也已經逐步增加到10萬片的規模,這將對於台積電對於2024年對營收的貢獻更大。其中,繼N3B製程之後,性能更好的N3E也已經在2023年第四季開始量產,接下來還有N3P、N3X製程技術,也將滿足各類客戶的需求。
接下來,對於台積電即將在2025年量產的2納米製程技術,當前的客戶都興趣濃厚。其中,又以HPC高性能計算、智慧型手機兩大應用領域最為積極。而由於英特爾在日前宣布,已經取得ASML旗下首套High-NA EUV曝光設備的情況下,儘管台積電尚未公布這類設備的採購計劃,但因為曝光設備是先進制程所不能或缺的,相信台積電也已經有所規劃。只是,要將High-NA EUV曝光設備自哪一個製程開始使用,則還有待後續觀察。
(首圖來源:台積電)