韓國媒體報道，三星正計劃將其位於中國西安的工廠升級至286層堆棧的NAND Flash閃存製程技術，以應對當前的市場低迷，並抵禦來自中國長江存儲等中國半導體公司日益激烈的競爭狀態。先前長江存儲宣布，已開始大規模生產294層堆棧的NAND Flash閃存。
BusinessKorea報道指出，自2023年以來，三星一直在推動西安工廠的主流128層堆棧NAND Flash閃存製程向236層堆棧技術發展。而為了提升其競爭力，三星這次決定安裝一條286層堆棧的NAND Flash閃存生產線，該產線計劃在上半年引進所需的新設備，並計劃在下半年創建完成一條月產2,000至5,000片晶片的產線。這項發展，預計是三星保持技術領先地位和確保長期產品競爭力策略的一部分。
報道指出，中國西安工廠是三星唯一的海外內存生產基地，對該公司全球供應鏈至關重要，生產了該公司約40%占比NAND Flash閃存。未來升級到286層堆棧製程之後，預計將顯著增強該工廠的生產能力。
而因為先前的美國拜登政府，決定在2023年給予三星經過驗證的最終用戶 (VEU) 地位，這一地位使得三星可以在中國生產200層以上堆棧的NAND Flash閃存，進一步在美國限制向中國出口先進半導體製造設備的制裁措施下，提供了一定的迴旋空間，這使三星能夠在面臨地緣政治緊張局勢情況下，能繼續在中國進行其先進的NAND Flash閃存製造流程。
報引導用市場人士的說法表示，三星在國內提升先進NAND Flash生產技術的同時，也在中國的進行相關的技術升級，這種雙重策略凸顯了三星企圖維持在海內外的競爭優勢的做法。因為自2024年下半年以來，三星一直致力於將400層堆棧的NAND Flash生產技術應用於韓國平澤一號工廠量產線，並可能在2025年下半年實現初步量產步驟。
報道表示，三星日前公布了2024年第四季的業績時表示，將加速向236層和286層堆棧的NAND Flash的生產技術發展，以確保長期的產品競爭力。然而，儘管取得了這些進步，但三星預計2025年第一季每月42萬片的NAND Flash產量，仍較2024年第四季減少約25%。這主因是為了反映受價格上漲和利率上漲等經濟因素，使得當前手機和PC市場需求下滑所導致的供過於求現象。不過，人工智慧數據中心等市場需求仍日益增長，推動三星等專注於高性能、高容量的NAND Flash產品的生產。
(首圖來源：三星)
