韓國政府今日宣布一項總額達900萬億韓元的晶片製造能力提升計劃，同時還計劃建設規模約達3570億美元的人工智慧數據中心。
此次晶片製造計劃將由三星電子和SK海力士主導推進，兩家公司各計劃新建兩座晶圓廠。目前，韓國大多數半導體生產基礎設施集中在首爾附近，而此次新建的三星和SK海力士工廠將落戶韓國西南地區。
三星方面表示，公司極有可能在距首爾約四小時車程的西南城市光州建廠。SK海力士目前仍在選址階段，公司董事長崔泰源今日表示，建設目前旗艦製造園區耗時長達九年。
新建晶圓廠的相當大一部分產能預計將用於內存生產。三星和SK海力士是全球最大的兩家內存製造商，三星在DRAM和快閃記憶體領域占據領先地位，而SK海力士則掌握全球逾半數的高頻寬內存（HBM）產能。HBM是一種高速內存，被廣泛應用於AI晶片中。
新建晶圓廠將混合採用先進制程與成熟製程。這是因為內存晶片的基本構成單元——內存單元中包含一種名為電容器的微型儲能器件，而內存級電容器只能通過成熟製程製造，將其尺寸縮小至10納米以下會引發技術問題。
HBM晶片不僅包含內存單元，還包含一個用於協調數據流傳輸的邏輯晶片，該晶片同時承擔糾錯等相關功能。與電容器不同，邏輯晶片通常採用尖端製程生產。
SK海力士專注於內存生產，三星則同時涉足處理器製造業務。三星於去年12月推出首款2納米製程處理器Exynos 2600，這是一款移動系統級晶片，集成了中央處理器、AI加速器和後量子密碼學模組。
在資金投入方面，三星和SK海力士將共同出資800萬億韓元用於韓國晶片製造建設。三星計劃建廠所在地光州市及全羅南道將額外出資最高20萬億韓元。此外，業界還計劃投入81萬億韓元，用於升級韓國中部地區的晶片封裝基礎設施。
與此同時，政府官員還宣布計劃在2035年前向AI數據中心投資超過1000萬億韓元，目標是新增18.4吉瓦的算力。SK海力士母公司SK集團也將參與這一計劃。
Q&A
Q1：韓國此次晶片製造計劃的總投資規模有多大？
A：韓國政府此次宣布的晶片製造計劃總額達900萬億韓元，由三星電子和SK海力士主導推進，兩家公司將共同出資800萬億韓元，另有地方政府和產業界配套資金支持。
Q2：三星和SK海力士新建晶圓廠主要生產哪類晶片？
A：新建晶圓廠的相當大一部分產能將用於內存生產，涵蓋DRAM、快閃記憶體及HBM（高頻寬內存）。其中SK海力士在HBM領域占全球一半以上產能，HBM是目前AI晶片的重要組成部分。晶圓廠將混合採用先進制程與成熟製程，以滿足不同類型晶片的製造需求。
Q3：韓國AI數據中心建設計劃的具體目標是什麼？
A：韓國政府計劃在2035年前向AI數據中心投資超過1000萬億韓元，目標是新增18.4吉瓦的算力規模。SK海力士的母公司SK集團將參與該計劃，這也是韓國推動AI基礎設施建設的重要組成部分。
