面對市場需求增加，內存產業持續復甦，韓國媒體ETNews報道，三星確認平澤P4工廠建設1c納米製程DRAM內存產線投資計劃，目標是2025年6月量產。
三星平澤P4是綜合性半導體生產中心，分為四期計劃。三星早期規劃，一期生產NAND Flash閃存，二期為邏輯代工，三期及四期為DRAM內存。三星已在P4一期導入DRAM設備，卻宣布擱置二期建設。
1c納米製程DRAM是第六代10納米級DRAM製程，各大內存1c納米產品均未發布。三星計劃年底啟動1c納米生產。三星考慮2025下半年推出HBM4采1c納米DRAM裸片，或以更先進DRAM製程提升HBM4競爭力，追上對手SK海力士。
考慮到HBM對DRAM晶片的消耗量遠高於傳統內存，故三星平澤P4建設1c納米DRAM產線，市場推測可能也是為了HBM4預做準備。
(首圖來源：三星)
