本月初，閃迪
（SanDisk）與SK海力士（SK hynix）共同發布了下一代儲存技術高頻寬快閃記憶體（HBF，High Bandwidth Flash）的首個標準規範。HBF是介於HBM和固態硬碟之間的新型儲存層級，不僅具備與HBM類似的高速數據傳輸能力，還可基於NAND快閃記憶體大幅提升容量。通過將HBM級別的讀取頻寬結合其8-16倍的容量，HBF有望解決AI的「儲存牆」問題。
據TrendForce報道，雖然HBF已成為備受關注的新興儲存技術，但是從現有掌握的資訊來看，作用可能比最初預期的要有限得多，不太可能取代絕大多數工作負載中的HBM。HBF的主要優勢在於容量而非性能，可被視為大容量內存技術，並非HBM的低成本替代品，主要優勢在於需要大容量內存但頻寬消耗較小的工作負載。
以一個擁有72塊GPU配置的機架為例，運行1萬億參數的Kimi-K2模型，在相同成本和功耗下，用HBF替代HBM大約能增加到14倍的內存容量，從20.7TB提升到294.9TB，但HBF總頻寬僅為HBM的60%，HBF為922TB/s，而HBM為1584TB/s。一塊配備HBF的GPU或許能承擔八個配備HBM的GPU所需要的儲存容量需求，可是隨著推理吞吐量的提升，HBF較低的頻寬成為瓶頸，最終HBM仍能提供更低的每詞元成本。
簡單來說，未來廠商不再將HBF視為HBM的替代品，而是用於不同的應用負載，以充分發揮HBF的大容量優勢，不過考慮到管理多層級儲存的複雜性，英偉達和AMD可能缺乏廣泛支持HBF的動力。之前就有報道稱，英偉達暫時未考慮HBF，短時間內也不會引入，將繼續採用HBM。
按照閃迪公布的計劃，首批HBF樣品計劃在2027年推出，預計2028年量產。
