此前三星公布了到2027年的製程技術路線圖，列出了2022年6月量產SF3E（3nm GAA，3GAE）以後的半導體工藝發展計劃，包括SF3（3GAP）、SF3P（3GAP ）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。三星計劃今年帶來第二代3nm工藝，也就是SF3，傳聞已經在試產。不過此前也有消息人士稱，三星打算將第二代3nm工藝將改為2nm工藝。
據Business Korea報道，三星將在今年6月16日至20日舉行的「VLSI Symposium 2024」上發表一篇關於2nm（SF2）工藝中應用第三代GAA（Gate-All-Around）電晶體工藝技術特性的論文，並帶來更多關鍵細節。
三星稱，新工藝將進一步完善多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）架構，具有獨特的外延和集成工藝。與基於FinFET的工藝技術相比，電晶體性能提升了11%至46%，可變性降低26%，同時漏電降低約50%。按照三星的規劃，SF2的技術開發工作將於2024年第二季度完成，屆時其晶片合作夥伴將可以選擇在該製程節點設計產品。
三星的努力不僅僅在突破技術界限上，過去一段時間裡正不斷加強2nm工藝生態系統的建設，已經擁有50多個合作夥伴。今年2月，三星宣布與Arm展開合作，提供基於最新的GAA電晶體技術，優化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU核心，儘可能地提高了性能和效率，以將用戶體驗提升到一個新的水平。
與此同時，三星還計劃推出第三代3nm工藝，繼續提高密度並降低功耗，另外還需要繼續提升良品率。三星初代3nm工藝很難說得上成功，傳聞早期的良品率僅為20%，主要用於生產加密貨幣使用的晶片，缺乏大客戶的訂單支持。
