前幾天英特爾CEO在接受採訪時表示自家的製程工藝雖然現在不如友商，但是未來就會成為遙遙領先的工藝，起碼領先友商尤其是台積電2年。這讓台積電這樣的晶圓代工廠商十分地不滿，表示英特爾這是在吹牛，通過內部評估，台積電的製程工藝要比英特爾更強。當然在IEDM 2023國際電子元件會議上，台積電自己也公布了最新的路線圖，稱將會在2023年實現1nm製程的量產，從而滿足一塊封裝晶片內實現1萬億個電晶體的壯舉。
目前台積電的最新工藝為N3也就是3nm，已經應用在A17處理器上，主要是增加了能耗比，而到了2025年至2027年，工藝製程就準備衝擊N2也就是2nm，而這也是台積電與英特爾大打口水仗的製程，單晶片能夠達到1000億個電晶體，而整個晶片的封裝最高可以達到5000億個電晶體，已經遠超現在的晶片。為了實現如此強大的製程，台積電將會採用EUV極紫外光刻、新材料、金屬氧化物ESL等工藝，以及更加先進的封裝技術。隨後台積電開始學習英特爾的命名方法，將製程工藝命名為A14、A10，應該這裡的A就是埃的意思，也就是0.1nm。
從台積電給出的路線圖來看，終極工藝應該是A10也就是1nm工藝，在這個工藝上，台積電希望能夠達成單核心2000億個電晶體的壯舉，而整個封裝晶片更是可以達到1萬億個電晶體。目前半導體領域中，英偉達的計算卡H100擁有單晶片800億個電晶體，也就是說A10工藝能夠實現的電晶體數量是H100的12.5倍，而多晶片則是AMD的MI300X，擁有1350億個電晶體，A10工藝的電晶體數量是其7.4倍。
而從目前給出的路線圖來看，能夠和台積電競爭的似乎只有英特爾，之前英特爾也表示將會在2030年實現一萬億個電晶體的壯舉，似乎這兩家是針鋒相對。不過作為目前最為尖端的半導體工藝，製程的跳票並不是什麼罕見的事情，加上製造成本的快速提升，屆時如果能在2023年看到A14工藝，估計就謝天謝地了。
