近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長，各大廠商也加大了這方面的投入。目前HBM市場主要由三星、SK海力士和美光三家存儲器製造商占有，根據統計機構的數據，SK海力士占據了50%的市場份額，三星以40%緊隨其後，剩下的10%被美光所占有。
近日，三星執行副總裁兼內存業務部DRAM開發主管Sangjun Hwang在官方的一篇採訪報道中透露，目前三星正在開發HBM4，其中包括了針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術，預計在2025年推出。此前有消息指出，下一代HBM4設計會有重大的變化，內存堆棧將採用2048位接口。
目前三星已經量產了HBM2E和HBM3，並開發了速率為9.8 Gbps的HBM3E，將很快向客戶提供樣品，以豐富高性能計算（HPC）和人工智慧（AI）生態系統。三星還對新的HBM-PIM (processing-in-memory) 寄予厚望，通過加入計算功能，使內存晶片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，不但改善了內存帶寬的瓶頸，而且在語音識別等特定工作負載中實現了高達12倍的性能提升和4倍的能效提升。
三星在去年年底成立了先進封裝團隊（AVP），提供了包括2.5D/3D的先進封裝解決方案，以擴大晶片封裝業務的收入。同時藉此機會，最大限度地發揮各業務部門之間的協同效應，為晶片製造業務爭取更多訂單。有報道稱，三星曾向英偉達建議，可以從台積電拿到製造好的晶片，然後採購三星的HBM3，並使用三星的I-Cube 2.5D封裝來完成後續的工作。
