外媒報道，曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 交貨第三代標準型極紫外（EUV）曝光機，新設備型號為Twinscan NXE:3800E，0.33數值孔徑透鏡，較舊型號Twinscan NXE:3600D的標準型曝光機，性能提高，支持幾年內3納米及2納米晶片製造。
Twinscan NXE:3800E第三代標準型EUV代表標準曝光性能和精度又一次進步，達每小時處理195片晶片速度，較Twinscan NXE:3600D約160片約提升22%，且有可能提高到220片。新設備還能小於1.1納米的晶片對準精度。
即便生產4/5納米晶片，Twinscan NXE:3800E第三代標準型EUV也能提升效率，提高晶片生產經濟性，更高效且更具成本效益。重要的是Twinscan NXE:3800E精確度提升會讓3納米以下製程受益，讓2納米晶片和需雙重曝光的製造技術效果更好。
當然Twinscan NXE:3800E第三代標準型EUV曝光機價格不便宜，每套EUV曝光設備價格約1.8億美元，但比最新High-NA EUV報價還是低很多。業界首款採用High-NA EUV的TWINSCAN EXE:5200報價達3.8億美元。
雖然ASML已推出High-NA EUV，但仍會繼續發展標準型EUV。新Twinscan NXE:4000F EUV曝光機2026年問世，突顯ASML對EUV技術持續推進的承諾。
(首圖來源：ASML)
