ASML宣布首款採用0.55數值孔徑（High-NA）EUV曝光設備已列印出第一個圖案。根據最新貼文，ASML的High-NA EUV系統已成功列印出第一條10納米密集線（dense lines）。
ASML指出，下一步是使系統充分發揮全部性能，並在現場取得相同結果。
Our High NA EUV system in Veldhoven printed the first-ever 10 nanometer dense lines. ✨ Imaging was done after optics, sensors and stages completed coarse calibration.Next up: bringing the system to full performance. And achieving the same results in the field. ⚙️pic.twitter.com/zcA5V0ScUf
— ASML (@ASMLcompany)April 17, 2024
ASML是第一家宣布使用High-NA EUV系統並成功圖案化的公司，對半導體產業是個重要里程碑。根據該公司貼文和照片，High-NA EUV系統已成功列印出第一條10納米密集線（dense lines），而該公司ASML官網提到，該設備的理論極限是8納米。
目前全球有兩套High-NA EUV設備，一套在ASML荷蘭總部Veldhoven製造，該公司與Imec有個High-NA聯合實驗室；另一套在英特爾美國俄勒岡州D1X晶片廠組裝。ASML表示，其最新曝光設備已運送給第二間客戶，外界預期可能是台積電。
英特爾預期通過最新High-NA EUV設備來量產晶片，不過首席執行官Pat Gelsinger最近先前提到不會用於Intel 18A製程，而是留到下一個主要節點，因此推測很可能是Intel 14A。
High-NA EUV技術採用0.55 NA的鏡頭，實現8納米級別的解析度，而標準的EUV技術使用0.33 NA的鏡頭。與Low-NA工具相比，該技術可印刷的電晶體尺寸縮小1.7倍，單次曝光的電晶體密度提高2.9倍。也因此，實現8納米級別的製程對於3納米以下製程技術相當重要，預期這種晶片將於2025-2026年問世。
（首圖來源：X平台）
