過去幾年裡，伴隨著大規模的人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）設施建設，先進封裝技術越來越受到大家的關注。三星確信先進封裝在其下一代半導體業務中發揮關鍵作用，為此還專門改造了先進封裝供應鏈，並推進新的先進封裝技術開發工作。
據TrendForce報道，為了鞏固自身在AI晶片製造方面的地位，三星正在加快先進封裝技術的開發，目標是在2027年初完成下一代3D Cube-H的開發。其利用了混合鍵合技術，以實現邏輯晶片的垂直堆疊，而非常見的並列排放，從而在同一封裝內實現更高的電晶體密度。
三星已經開發出利用熱壓縮（TC）鍵合技術的3D Cube-T，希望能通過混合鍵合技術，實現更緊密的晶片間連接。據了解，3D Cube-H的互連間距約為6微米（μm），比起3D Cube-T最小的25微米要緊湊得多。
三星計劃計劃於2027年初完成首個設計套件，隨後與潛在客戶進行評估。如果3D Cube-H的開發獲得成功，可能會對三星晶圓代工業務產生更廣泛的影響，可以增強其在下一代AI半導體領域的競爭力，為爭奪大型科技公司的晶片製造訂單奠定基礎。
