SK 海力士正準備推出「2.5D 扇出」封裝，作為其下一代存儲半導體技術。SK 海力士今年在高帶寬內存（HBM）領域取得了成功，對下一代晶片技術領域充滿信心，似乎正在通過開發「專業」內存產品來確保其技術領先地位。
據業內人士 11 月 26 日消息，SK 海力士正準備將 2.5D 扇出封裝技術集成到其繼 HBM 之後的下一代 DRAM 中。
這項新技術將兩個 DRAM 晶片水平排列，然後將它們組合成一個晶片。一個特點是晶片變得更薄，因為晶片下面沒有添加基板。這樣可以顯著減小安裝在資訊技術（IT）設備中的晶片厚度。SK 海力士預計最早將於明年公開披露使用這種封裝製造的晶片的研究結果。
SK 海力士的嘗試非常獨特，因為 2.5D 扇出封裝在內存行業從未嘗試過。該技術主要應用於先進系統半導體製造領域。世界領先的半導體代工廠台積電於 2016 年首次將扇出式晶圓級封裝（FOWLP）商業化，並將其用於生產 iPhone 的應用處理器，從而獲得了蘋果的信任。三星電子已從今年第四季度開始將這項技術引入 Galaxy 智慧型手機的高級 AP 封裝中。
SK 海力士在存儲半導體領域應用扇出封裝的主要原因是封裝成本的降低。業界認為 2.5D 扇出封裝是一種技術，可以通過跳過矽通孔（TSV）工藝來降低成本，同時增加輸入/輸出（I/O）接口的數量。業界推測，這種封裝技術將應用於圖形 DRAM（GDDR）和其他需要擴展資訊 I/O 的領域。
SK 海力士利用該技術搶占了內存產品小、批量多樣化的 IT 趨勢，其戰略正變得越來越清晰。SK 海力士正在鞏固與世界知名圖形處理單元（GPU）公司英偉達的合作，英偉達在 HBM 市場處於領先地位，該市場作為下一代 DRAM 備受關注。此外，SK 海力士還為蘋果新款 AR 設備「Vision Pro」中安裝的「R1」計算單元生產並供應了專用 DRAM。SK 海力士總裁郭諾貞表示：「在人工智慧時代，我們將把存儲半導體創新，針對每個客戶提供差異化的專業產品。」
